參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 28/96頁
文件大?。?/td> 1571K
代理商： HYB18T512800AF-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Functional Description
Data Sheet
28
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
2.3
Off-Chip Driver (OCD) Impedance Adjustment
DDR2 SDRAM supports driver calibration feature and
the flow chart below is an example of the sequence.
Every calibration mode command should be followed
by “OCD calibration mode exit” before any other
command being issued. MRS should be set before
entering OCD impedance adjustment and On Die
Termination (ODT) should be carefully controlled
depending on system environment.
Figure 9
OCD Impedance Adjustment Flow Chart
Note
1. MRS should be set before entering OCD impedance adjustment and ODT should be carefully controlled
depending on system environment
MPFT0020
Start
EMRS: OCD calibration mode exit
Need Calibration
EMRS:
Enter Adjust Mode
BL = 4 code input to all DQs
Inc, Dec or NOP
EMRS: OCD calibration mode exit
EMRS: OCD calibration mode exit
EMRS: Drive (1)
DQ & DQS High; DQS Low
ALL OK
EMRS: Drive (0)
DQ & DQS Low; DQS High
Test
Test
EMRS: OCD calibration mode exit
EMRS:
Enter Adjust Mode
BL = 4 code input to all DQs
Inc, Dec or NOP
Need Calibration
EMRS: OCD calibration mode exit
EMRS: OCD calibration mode exit
End
ALL OK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160TE-3 122 x 32 pixel format, LED Backlight available
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160AT7 制造商:INFINEON 功能描述:New
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