參數(shù)資料
型號: HYB18T512400AF-3.7
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述: 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù): 90/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商: HYB18T512400AF-3.7
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
90
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Maximum Amplitude
Figure 70
AC Overshoot / Undershoot Diagram for Address and Control Pins
Figure 71
AC Overshoot / Undershoot Diagram for Clock, Data, Strobe and Mask Pins
Table 43
Parameter
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area 0.9
Maximum overshoot area above
V
DDQ
Maximum undershoot area below
V
SSQ
AC Overshoot / Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask Pins
DDR2-400
0.9
DDR2-533
0.9
0.9
0.28
0.28
DD2-667
0.9
0.9
0.23
0.23
Unit
V
V
V.ns
V.ns
0.38
0.38
VDD
VSS
Overshoot Area
Undershoot Area
Maximum Amplitude
Maximum Amplitude
Time (ns)
V
VDDQ
VSSQ
Overshoot Area
Undershoot Area
Maximum Amplitude
Time (ns)
V
相關PDF資料
PDF描述
HYB18T512160AF 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)