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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512400AF-3.7 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 30/117頁 |
| 文件大小： | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512400AF-3.7 |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
30
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Table 8
Mode Register Definition (BA[2:0] = 000B)
Field
BA2
Bits
16
Type
1)
reg. addr.
Description
Bank Address [2]
Note:BA2 not available on 256 Mbit and 512 Mbit components
0
B
Bank Address [1]
0
B
BA1
, Bank Address
Bank Address [0]
0
B
BA0
, Bank Address
Address Bus[13]
Note:A13 is not available for 256 Mbit and x16 512 Mbit configuration
BA2
, Bank Address
BA1
15
BA0
14
A13
13
0
B
Active Power-Down Mode Select
0
B
PD
, Fast exit
1
B
PD
, Slow exit
Write Recovery
2)
Note:All other bit combinations are illegal.
A13
, Address bit 13
PD
12
w
WR
[11:9] w
001
B
WR
, 2
010
B
WR
, 3
011
B
WR
, 4
100
B
WR
, 5
110
B
WR
, 6
DLL Reset
0
B
DLL
, No
1
B
DLL
, Yes
Test Mode
0
B
TM
, Normal Mode
1
B
TM
, Vendor specific test mode
CAS Latency
Note:All other bit combinations are illegal.
DLL
8
w
TM
7
w
CL
[6:4]
w
010
B
CL
, 2
011
B
CL
, 3
100
B
CL
, 4
101
B
CL
, 5
011
B
CL
, 6
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
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