參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512400AF-3.7
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 83/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512400AF-3.7
Data Sheet
83
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Figure 66
Full Strength Default Pull-up Driver Diagram
Table 35
Voltage (V)
Full Strength Default Pull–down Driver Characteristics
Pull-down Driver Current [mA]
Min.
1)
Nominal Default low
2)
0.00
0.00
4.30
5.65
8.60
11.30
12.90
16.50
16.90
21.20
20.05
25.00
22.10
28.30
23.27
30.90
24.10
33.00
24.73
34.50
25.23
35.50
25.65
36.10
26.02
36.60
26.35
36.90
26.65
37.10
26.93
37.40
27.20
37.60
27.46
37.70
—
37.90
—
—
1) The driver characteristics evaluation conditions are Minimum 95 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.7 V, slow-slow process
2) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Default 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
3) The driver characteristics evaluation conditions are Maximum 0 °C (
T
CASE
).
V
DDQ
= 1.9 V, fast-fast process
Nominal Default high
2)
0.00
5.90
11.80
16.80
22.10
27.60
32.40
36.90
40.90
44.60
47.70
50.40
52.60
54.20
55.90
57.10
58.40
59.60
60.90
—
Max.
3)
0.00
7.95
15.90
23.85
31.80
39.75
47.70
55.05
62.95
69.55
75.35
80.35
84.55
87.95
90.70
93.00
95.05
97.05
99.05
101.05
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
ECP
9''4WR92879
$
P
W
Q
H
U
X
F
S
X
X
3
,%,67DUJHW/RZ
,%,67DUJHW+LJK
0D[LPXP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512160AF 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512160AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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