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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512400AF-3.7 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 100/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512400AF-3.7 |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
100
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
11) MIN (
t
CL
,
t
CH
) refers to the smaller of the actual clock low time and the actual clock high time as provided to the device (i.e.
this value can be greater than the minimum specification limits for
t
CL
and
t
CH
).
12) The
t
HZ
,
t
RPST
and
t
LZ
,
t
RPRE
parameters are referenced to a specific voltage level, which specify when the device output is
no longer driving (
t
HZ
,
t
RPST
), or begins driving (
t
LZ
,
t
RPRE
).
t
HZ
and
t
LZ
transitions occur in the same access time windows
as valid data transitions.These parameters are verified by design and characterization, but not subject to production test.
13) The Auto-Refresh command interval has be reduced to 3.9 μs when operating the DDR2 DRAM in a temperature range
between 85 °C and 95 °C.
14) 0
≤
T
CASE
≤
85 °C
15) 85 °C
<
T
CASE
≤
95 °C
16) x4 & x8 (1k page size)
17) The
t
RRD
timing parameter depends on the page size of the DRAM organization. See Chapter 1.5
18) x16 (2k page size), not on 256Mbit component
19) The maximum limit for the
t
WPST
parameter is not a device limit. The device operates with a greater value for this parameter,
but system performance (bus turnaround) degrades accordingly.
20) Minimum
t
WTR
is two clocks when operating the DDR2-SDRAM at frequencies
≤
200
ΜΗ
z.
21) User can choose two different active power-down modes for additional power saving via MRS address bit A12. In “standard
active power-down mode” (MR, A12 = “0”) a fast power-down exit timing
t
XARD
can be used. In “l(fā)ow active power-down
mode” (MR, A12 =”1”) a slow power-down exit timing
t
XARDS
has to be satisfied.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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