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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18RL25632AC-3.3 |
| 英文描述： | ?256M (8Mx32) 300MHz ? |
| 中文描述： | ？256M（8Mx32）300MHz的？ |
| 文件頁數(shù)： | 19/36頁 |
| 文件大小： | 869K |
| 代理商： | HYB18RL25632AC-3.3 |
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HYB18RL25616/32AC
256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM
Version 1.42
Page 19
Infineon Technologies
This specification is preliminary and subject to change without notice
2.5.2
Write - Cyclic Bank Access
2.5.2.1 Burst Length (BL) = 2
Figure 13 Write Burst Basic Sequence, BL = 2, WL = 3
2.5.2.2 Burst Length (BL) = 4
Figure 14 Write Burst Basic Sequence, BL = 4, WL = 2
CK#
CK
Com
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Add
WL = 3
DQ
D0a
D0d
D1b
D1a
D0b
D2a
D2b
D3a
D3b
D4a
WR
A
BA0
A
BA1
A
BA2
A
BA3
A
BA4
A
BA5
A
BA6
A
BA7
A
BA0
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
WR
Don't Care
WR:
Dxy:
WL:
WRITE
Data part y to bank x
Write Latency
A/BAx:
address A of bank x
D4b
D5a
CK#
CK
Com
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Addr
WL = 2
DQ
D0a
D0d
D0c
D0b
D1a
D1b
D1c
D1d
D2b
WR
A
BA0
A
BA1
NOP
WR
WR
WR
WR
NOP
NOP
NOP
A
BA3
A
BA0
A
BA2
Don't Care
WR:
Dxy:
WL:
WRITE
Data part y to bank x
Write Latency
A / BAx:
address A of bank x
D2a
D2c
D2d
D3a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HYB18T1G800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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