參數(shù)資料
型號： HYB18RL25632AC-3.3
英文描述： ?256M (8Mx32) 300MHz ?
中文描述： ？256M（8Mx32）300MHz的？
文件頁數(shù)： 10/36頁
文件大?。?/td> 869K
代理商： HYB18RL25632AC-3.3
HYB18RL25616/32AC
256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM
Version 1.42
Page 10
Infineon Technologies
This specification is preliminary and subject to change without notice
1.4
Functional Block Diagram
Figure 4
Functional Block Diagram 8M x 32 Configuration
Note: When the BL4 setting is used, A18 is a "Don’t Care"
A0-A18, B0, B1, B2
Column Address
Counter
Column Address Buffer
Row Address Buffer
Refresh Counter
Input Buffers
Row Decoder
Memory Array
Bank 0
S
C
Row Decoder
Memory Array
Bank 1
S
C
Row Decoder
Memory Array
Bank 2
S
C
Row Decoder
Memory Array
Bank 3
S
C
Row Decoder
Memory Array
Bank 7
S
C
Row Decoder
Memory Array
Bank 6
S
C
Row Decoder
Memory Array
Bank 5
S
C
Row Decoder
Memory Array
Bank 4
S
C
Output Buffers
Data read strobe
Output Data Valid
Control Logic and Timing Generators
DVLD
DQS[3:0], DQS#[3:0]
DQ0-DQ31
C
C
A
D
W
C
R
D
V
相關PDF資料
PDF描述
HYB18RL25632AC-5 ?256M (8Mx32) 200MHz ?
HYB25D128400AT-7 ?128Mb (32Mx4) DDR266A (2-3-3)?
HYB25R128160C-840 RAMBUS DRAM
HYB25R128160C-845 RAMBUS DRAM
HYB25R144180C-840 RAMBUS DRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
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