參數(shù)資料
型號(hào)： HUFA76413DK8T
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56mз
中文描述： 5.1 A, 60 V, 0.049 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： HUFA76413DK8T
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
H
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
25
50
75
100
125
150
-
D
,
T
A
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V, R
θ
JA
=50
o
C/W
V
GS
= 5V, R
θ
JA
=228
o
C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
4
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
SINGLE PULSE
V
GS
= 10V
R
θ
JA
=50
o
C/W
10
100
300
2
10
-5
10
-3
10
-4
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 5V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
A
150
V
GS
= 10V
R
θ
JA
=50
o
C/W
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PDF描述
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