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參數(shù)資料
| 型號： | HSC2625 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | HSC2625 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSC2625
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HR200201
Issued Date : 1996.03.14
Revised Date : 2002.08.13
Page No. : 1/2
HSC2625
HSMC Product Specification
Description
The HSC2625 is designed for triple diffused planer type high voltage,
high speed switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................... -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature.................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C) .................................................................................... 80 W
Maximum Voltages and Currents
VCBO Collector to Base Voltage....................................................................................... 450 V
VCEO Collector to Emitter Voltage.................................................................................... 400 V
VEBO Emitter to Base Voltage.............................................................................................. 7 V
IC Collector Current ............................................................................................................ 10 A
IB Base Current..................................................................................................................... 3 A
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
Min.
450
400
7
-
-
-
-
10
6
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
1
100
1.2
1.5
30
-
Unit
V
V
Test Conditions
IC=1mA
IC=10mA
IE=100uA
VCB=450V
VEB=7V
IC=4A, IB=800mA
IC=4A, IB=800mA
IC=0.5A, VCE=5V
IC=4A, VCE=5V
*Pulse Test: Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
mA
uA
V
V
TO-3P
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC2682 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC3417 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC3953S | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC3953 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC4242 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HSC2682 | 制造商:HSMC 制造商全稱:HSMC 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC26DRAH | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:管件 法蘭特點:頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
| HSC26DRAH-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:PCI Express 標準包裝:60 系列:- 卡類型:PCI Express? 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:11; 21 位置數(shù):64 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.039"（1.00mm） 特點:板導軌，鎖銷滑道 安裝類型:通孔 端子:焊接，交錯式 觸點材料:銅合金 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:閃光 觸點類型：:懸臂 顏色:黑 包裝:托盤 法蘭特點:- 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA），尼龍，玻璃纖維增強型 工作溫度:-55°C ~ 85°C 讀數(shù):雙 其它名稱:609-1982 |
| HSC26DRAI | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:7 位置數(shù):14 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點材料:亞穩(wěn)態(tài) 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 200°C 讀數(shù):雙 |
| HSC26DRAI-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:28 位置數(shù):56 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:側面安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
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