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參數(shù)資料
| 型號： | HSC4242 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | HSC4242 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSC4242
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6739-C
Issued Date : 1994.05.18
Revised Date : 1999.08.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
The HSC4242 is designed for triple diffused planar type and high
speed switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -50 ~ +150
°
C
Junction Temperature................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C) .................................................................................... 40 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... 450 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 400 V
BVEBO Emitter to Base Voltage......................................................................................... 10 V
IC Collector Current.............................................................................................................. 7 A
IB Base Current.................................................................................................................... 2 A
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
Min.
450
400
10
-
-
-
-
15
10
10
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
100
0.8
1.2
55
-
-
Unit
V
V
V
uA
uA
V
V
Test Conditions
IC=1mA, IE=0
IC=100mA, IB=0
IE=1mA, IC=0
VCB=450V, IE=0
VEB=10V, IC=0
IC=4A, IB=0.8A
IC=4A, IB=0.8A
IC=0.8A, VCE=5V
IC=2A, VCE=5V
IC=4A, VCE=5V
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
Classification Of hFE1
Rank
Range
A
B1
B2
B3
B4
15-28
22-35
29-42
36-49
43-55
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HSC43DRAH-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 86POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:18 位置數(shù):36 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):卡擴(kuò)展器 安裝類型:板邊緣，跨騎式安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:亞穩(wěn)態(tài) 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，浮動線軸，0.116"（2.95mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 200°C 讀數(shù):單路 |
| HSC43DRAI | 功能描述:CONN EDGECARD 86POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.125"（3.18mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙 |
| HSC43DRAI-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 86POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
| HSC43DRAN | 功能描述:CONN EDGECARD 86POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.125"（3.18mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙 |
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