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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HSC2682 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | HSC2682 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSC2682
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6626-B
Issued Date : 1994.12.07
Revised Date : 2000.10.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
Audio frequency power amplifier, high frequency power amplifier.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -50 ~ +150
°
C
Junction Temperature................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)................................................................................... 1.2 W
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C) ...................................................................................... 8 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... 180 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 180 V
BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V
IC Collector Current....................................................................................................... 100 mA
Electrical Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
Min.
180
180
5
-
-
-
-
90
100
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
120
0.8
-
200
200
-
Max.
-
-
-
1
1
500
1.5
-
320
-
5
Unit
V
V
V
uA
uA
mV
V
Test Conditions
IC=1mA
IC=10mA
IE=10uA
VCB=180V
VEB=3V
IC=50mA, IB=5mA
IC=50mA, IB=5mA
IC=1mA, VCE=5V
IC=10mA, VCE=5V
IC=20mA, VCE=10V
VCB=10V
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
Classification Of hFE2
Rank
Range
O
Y
100-200
160-320
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HSC26DRAH-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:PCI Express 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 卡類型:PCI Express? 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:11; 21 位置數(shù):64 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.039"（1.00mm） 特點(diǎn):板導(dǎo)軌，鎖銷滑道 安裝類型:通孔 端子:焊接，交錯(cuò)式 觸點(diǎn)材料:銅合金 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:閃光 觸點(diǎn)類型：:懸臂 顏色:黑 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA），尼龍，玻璃纖維增強(qiáng)型 工作溫度:-55°C ~ 85°C 讀數(shù):雙 其它名稱:609-1982 |
| HSC26DRAI | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:7 位置數(shù):14 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:亞穩(wěn)態(tài) 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 200°C 讀數(shù):雙 |
| HSC26DRAI-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:28 位置數(shù):56 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):側(cè)面安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
| HSC26DRAN | 功能描述:CONN EDGECARD 52POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
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