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參數(shù)資料
| 型號： | HSC2228Y |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | HSC2228Y |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSC2228Y
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6527-B
Issued Date : 1993.01.15
Revised Date : 2000.10.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
The HSC2228Y is designed for high voltage amplifier applications.
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature..................................................................................... 150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)............................................................................... 900 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
VCBO Collector to Base Voltage ...................................................................................... 160 V
VCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 160 V
VEBO Emitter to Base Voltage ............................................................................................. 5 V
IC Collector Current ........................................................................................................ 50 mA
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE
fT
Cob
Min.
160
160
5
-
-
-
-
60
50
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
1
1
0.6
1
320
-
4
Unit
V
V
V
uA
uA
V
V
Test Conditions
IC=100uA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA, IC=0
VCB=160V, IE=0
VEB=5V
IC=2mA, IB=20mA
IC=2mA, IB=20mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=30V, IC=10mA
VCB=10V, f=1MHZ
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
Classification of hFE
Rank
Range
D
E
F
60-120
100-200
160-320
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC2240 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC2625 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC2682 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC3417 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC3953S | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HSC2240 | 制造商:HSMC 制造商全稱:HSMC 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC226 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| HSC226(TRF-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tape & Reel 制造商:Renesas 功能描述:0 |
| HSC226TRF-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SMALL SIGNAL DIODE - LEAD FREE - Tape and Reel 制造商:Renesas 功能描述:0 |
| HSC22DRAH | 功能描述:CONN EDGECARD 44POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:18 位置數(shù):36 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點:- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:頂部安裝開口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙 |
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