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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HSC1959 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | HSC1959 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSC1959
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6524
Issued Date : 1993.01.15
Revised Date : 2002.03.04
Page No. : 1/4
HSC1959
HSMC Product Specification
Description
The HSC1959 is designed for audio frequency Low power amplifier
applications.
Features
Excellent hFE Linearity
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature...................................................................................... 150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)................................................................................ 500 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
VCBO Collector to Base Voltage......................................................................................... 35 V
VCEO Collector to Emitter Voltage...................................................................................... 30 V
VEBO Emitter to Base Voltage.............................................................................................. 5 V
IC Collector Current ....................................................................................................... 500 mA
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEB
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
Min.
35
30
5
-
-
-
-
120
40
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
7
Max.
-
-
-
100
100
0.25
1
240
-
-
-
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
Test Conditions
IC=100uA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA, IC=0
VCB=35V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=100mA, IB=10mA
VCE=1V, IC=100mA
VCE=1V, IC=100mA
VCE=6V, IC=400mA
IC=20mA, VCE=6V
IE=0, VCB=6V, f=1MHZ
*Pulse Test: Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
TO-92
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSC1959SP | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSD1159 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSD1609S | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSD1609 | RES THICK FILM 200K OHM 2W 5% |
| HSD1616A | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HSC1959SP | 制造商:HSMC 制造商全稱:HSMC 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HSC19DRAH | 功能描述:CONN EDGECARD 38POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:20 位置數(shù):40 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.100"（2.54mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
| HSC19DRAH-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 38POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:25 位置數(shù):50 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:繞接線 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):齊平安裝，頂開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙 |
| HSC19DRAI | 功能描述:CONN EDGECARD 38POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:43 位置數(shù):86 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):齊平安裝，頂開口，螺紋插件，4-40 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙 |
| HSC19DRAI-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 38POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:面板安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:黑 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):側(cè)面安裝開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚酰胺（PA9T） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):單路 |
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