參數(shù)資料
型號: HSC1815
廠商: HSMC CORP.
英文描述: NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述: 瑞展晶體管
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 35K
代理商: HSC1815
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSC1815
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6523
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2001.06.06
Page No. : 1/3
HSC1815
HSMC Product Specification
Description
The HSC1815 is designed for use in driver stage of AF amplifier
general purpose amplification.
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)............................................................................... 400 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
VCBO Collector to Base Voltage ........................................................................................ 60 V
VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... 50 V
VEBO Emitter to Base Voltage ............................................................................................. 5 V
IC Collector Current....................................................................................................... 150 mA
IB Base Current............................................................................................................... 50 mA
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
Min.
60
50
5
-
-
-
-
120
25
80
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
100
250
1
700
-
-
3.5
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
V
Test Conditions
IC=100uA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA, IC=0
VCB=60V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=100mA, IB=10mA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=6V, IC=2mA
VCE=6V, IC=150mA
VCE=10V, IC=1mA, f=100MHz
VCB=10V, f=1MHz, IE=0
*Pulse Test : Pulse Width
380us, Duty Cycle
2%
MHz
pF
Classification of hFE1
Rank
Range
Y
GR
BL
120-240
200-400
350-700
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PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HSC18DRAH 功能描述:CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:15 位置數(shù):30 卡厚度:0.031"(0.79mm) 行數(shù):2 間距:0.100"(2.54mm) 特點:- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點類型::全波紋管 顏色:黑 包裝:托盤 法蘭特點:頂部安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚酰胺(PA9T) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
HSC18DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 36POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:18 位置數(shù):36 卡厚度:0.031"(0.79mm) 行數(shù):2 間距:0.100"(2.54mm) 特點:- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點類型::全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:頂部安裝開口,螺紋插件,4-40 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙
HSC18DRAI 功能描述:CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:43 位置數(shù):86 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):2 間距:0.156"(3.96mm) 特點:卡擴展器 安裝類型:板邊緣,跨騎式安裝 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點類型::全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:頂部安裝開口,螺紋插件,4-40 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
HSC18DRAI-S734 功能描述:CONN EDGECARD 36POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:25 位置數(shù):50 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):2 間距:0.156"(3.96mm) 特點:- 安裝類型:通孔 端子:繞接線 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點類型::環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:齊平安裝,頂開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙
HSC18DRAN 功能描述:CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:15 位置數(shù):30 卡厚度:0.031"(0.79mm) 行數(shù):2 間距:0.100"(2.54mm) 特點:- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點類型::全波紋管 顏色:黑 包裝:托盤 法蘭特點:頂部安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚酰胺(PA9T) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙