參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG30N60B3D
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(60A, 600V, UFS系列 帶超快二極管N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： HGTG30N60B3D
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 17. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 18. RECOVERY TIME vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
C
2
4
6
8
10
C
RES
FREQUENCY = 1MHz
C
OES
C
IES
Z
θ
J
,
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
0
10
1
10
-4
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
10
-1
10
-2
SINGLE PULSE
10
0
10
-1
10
-2
P
D
t
1
t
2
0.50
0.05
0.01
0.02
0.10
0.20
I
E
,
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
3.0
2.0
2.5
1.5
1.0
0.5
0
0
25
50
75
100
125
3.5
4.0
150
175
200
100
o
C
25
o
C
-55
o
C
30
40
20
0
t
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
2
30
1
10
10
20
50
5
t
rr
t
a
t
b
T
C
= 25
o
C, dI
EC
/dt = 200A/
μ
s
HGTG30N60B3D
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PDF描述
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參數(shù)描述
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HGTG30N60B3D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR
HGTG30N60B3D_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG30N60B3D_Q 功能描述:IGBT 晶體管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG30N60C3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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