參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG20N60B3D
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(40A, 600V，N溝道絕緣柵雙極晶體管（帶反并行超快速二極管))
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 135K
代理商： HGTG20N60B3D
5
FIGURE 13. OPERATING FREQUENCY vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
FIGURE 14. SWITCHING SAFE OPERATING AREA
FIGURE 15. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 16. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 17. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
f
M
,
5
10
20
30
40
10
100
500
V
CE
= 480V
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+E
OFF
)
P
D
= ALLOWABLE DISSIPATION
P
C
= CONDUCTION DISSIPATION
(DUTY FACTOR = 50%)
R
θ
JC
= 0.76
o
C/W
f
MAX1
= 0.05/(t
d(OFF)I
+ t
d(ON)I
)
T
J
= 150
o
C, T
C
= 75
o
C, V
GE
= 15V
R
G
= 10
, L = 100mH
100
200
300
400
500
600
700
0
20
0
40
80
100
120
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
C
,
T
C
= 150
o
C, V
GE
= 15V, R
G
= 10
60
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
SINGLE PULSE
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
R
0.5
25
o
C
150
o
C
100
o
C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
20
40
60
80
100
0
I
E
,
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
1
10
20
5
50
40
30
20
10
0
t
b
t
r
,
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
t
rr
t
a
T
C
= 25
o
C, dI
EC
/dt = 100A/
μ
s
HGTG20N60B3D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTG24N60D1D 3.3V 36-mc CPLD
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HGTG30N60B3 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT(60A, 600V, UFS系列 N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HGTG20N60C3 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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HGTG20N60C3D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT
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