參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG20N60B3D
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(40A, 600V，N溝道絕緣柵雙極晶體管（帶反并行超快速二極管))
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 135K
代理商： HGTG20N60B3D
3
Typical Performance Curves
FIGURE 1. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 2. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 3. DC COLLECTOR CURRENT vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 4. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 5. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 6. GATE CHARGE WAVEFORMS
100
80
60
40
20
0
I
C
,
4
6
8
10
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
12
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE <0.5%, V
CE
= 10V
T
C
o
C
I
C
,
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
V
GE
= 15V
12V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8.5V
V
GE
= 8.0V
V
GE
= 7.5V
V
GE
= 7.0V
V
GE
= 10V
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE <0.5%, T
C
= 25
o
C
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
V
GE
= 15V
I
C
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
I
C
,
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= -40
o
C
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE <0.5%, V
GE
= 15V
C
0
5
10
15
20
25
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
1000
2000
3000
4000
5000
C
IES
C
OES
C
RES
FREQUENCY = 1MHz
V
G
,
0
3
6
9
12
15
0
120
240
360
480
600
V
C
,
0
20
40
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
V
CE
= 400V
V
CE
= 200V
80
100
60
V
CE
= 600V
I
g(REF)
= 1.685mA
R
L
= 30
T
C
= 25
o
C
HGTG20N60B3D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HGTG20N60C3 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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HGTG20N60C3D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT
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