參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG20N120E2
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 34A, 1200V N-Channel IGBT
中文描述： 34 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 167K
代理商： HGTG20N120E2
3-101
HGTG20N120E2
FIGURE 7. SATURATION VOLTAGE AS A FUNCTION OF
COLLECTOR-EMITTER CURRENT
FIGURE 8. TURN-OFF SWITCHING LOSS AS A FUNCTION OF
COLLECTOR-EMITTER CURRENT
FIGURE 9. TURN-OFF DELAY AS A FUNCTION OF COLLECTOR-
EMITTER CURRENT
FIGURE 10. OPERATING FREQUENCY AS A FUNCTION OF
COLLECTOR-EMITTER CURRENT AND VOLTAGE
FIGURE 11. COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
Typical Performance Curves
(Continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTG20N120 34A, 1200V N-Channel IGBT
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HGTG24N60D1D 3.3V 36-mc CPLD
HGTG24N60D1 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD
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參數(shù)描述
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HGTG20N60A4 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247
HGTG20N60A4_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
HGTG20N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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