參數資料
型號： HGTG20N120E2
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 34A, 1200V N-Channel IGBT
中文描述： 34 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁數： 3/5頁
文件大?。?/td> 167K
代理商： HGTG20N120E2
3-100
HGTG20N120E2
Typical Performance Curves
FIGURE 1. TRANSFER CHARACTERISTICS (TYPICAL)
FIGURE 2. SATURATION CHARACTERISTICS (TYPICAL)
FIGURE 3. MAXIMUM DC COLLECTOR CURRENT AS A
FUNCTION OF CASE TEMPERATURE
FIGURE 4. FALL TIME AS A FUNCTION OF COLLECTOR-
EMITTER CURRENT
FIGURE 5. CAPACITANCE AS A FUNCTION OF COLLECTOR-
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 6. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS AT
CONSTANT GATE CURRENT. (REFER TO
APPLICATION NOTES AN7254 AND AN7260)
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PDF描述
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