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參數(shù)資料
| 型號： | HGTG12N60A4D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD |
| 中文描述： | 54 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | HGTG12N60A4D |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS Rev. B
FIGURE 23. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.50
0.20
0.05
0.02
0.01
0.10
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 24. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 25. SWITCHING TEST WAVEFORMS
R
G
= 10
L = 500
μ
H
V
DD
= 390V
+
-
HGTP12N60A4D
DIODE TA49371
DUT
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTP12N60A4D | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| HGT1S12N60A4DS9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB |
| HGTP12N60A4D | Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 25V; Case Size: 5x11 mm; Packaging: Bulk |
| HGT1S12N60A4DS | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| HGTG12N60A4 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HGTG12N60A4D | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IGBT TO-247 |
| HGTG12N60A4S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-247AA |
| HGTG12N60B3 | 功能描述:IGBT 晶體管 12A 600V UFS N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| HGTG12N60B3D | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTG12N60C3D | 功能描述:IGBT 晶體管 24a 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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