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參數(shù)資料
| 型號： | HB56UW1673E |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM 128MB的內(nèi)存緩沖（128MB的緩沖EDO公司的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 6/28頁 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | HB56UW1673E |
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HB56UW1673E-F
6
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Terminal voltage on any pin relative to V
SS
Power supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–0.5 to +4.6
V
–0.5 to +4.6
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Tstg
19
W
Storage temperature range
–55 to +125
°
C
DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Ta
3.0
3.3
3.6
V
1, 2
0
0
0
V
2
Input high voltage
2.0
—
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1
Input low voltage
–0.3
—
V
1
Ambient temperature range
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
.
2. The supply voltage with all V
pins must be on the same level. The supply voltage with all V
SS
pins must be on the same level.
0
—
70
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HB56UW1673E-6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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