參數(shù)資料
型號(hào): HB56UW1673E
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
中文描述: EDO公司的DRAM 128MB的內(nèi)存緩沖(128MB的緩沖EDO公司的DRAM內(nèi)存)
文件頁數(shù): 3/28頁
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代理商: HB56UW1673E
HB56UW1673E-F
3
Pin Arrangement
(cont)
Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name
16
DQ12
58
DQ23
100
DQ48
142
DQ59
17
DQ13
59
V
CC
DQ24
101
DQ49
143
V
CC
DQ60
18
V
CC
DQ14
60
102
V
CC
DQ50
144
19
61
NC
103
145
NC
20
DQ15
62
NC
104
DQ51
146
NC
21
DQ16
63
NC
105
DQ52
147
NC
22
DQ17
64
NC
106
DQ53
148
NC
23
V
SS
NC
65
DQ25
107
V
SS
NC
149
DQ61
24
66
DQ26
108
150
DQ62
25
NC
67
DQ27
109
NC
151
DQ63
26
V
CC
WE
0
CE
0
68
V
SS
DQ28
110
V
CC
NC
152
V
SS
DQ64
27
69
111
153
28
70
DQ29
112
NC
154
DQ65
29
NC
RE
0
OE
0
71
DQ30
113
NC
155
DQ66
30
72
DQ31
114
NC
156
DQ67
31
73
V
CC
DQ32
115
NC
157
V
CC
DQ68
32
V
SS
A0
74
116
V
SS
A1
158
33
75
DQ33
117
159
DQ69
34
A2
76
DQ34
118
A3
160
DQ70
35
A4
77
DQ35
119
A5
161
DQ71
36
A6
78
V
SS
PD1
120
A7
162
V
SS
PD2
37
A8
79
121
A9
163
38
A10
80
PD3
122
A11
164
PD4
39
NC
81
PD5
123
NC
165
PD6
40
V
CC
NC
82
PD7
124
V
CC
NC
166
PD8
41
83
ID0(V
SS
)
V
CC
125
167
ID1 (V
SS
)
V
CC
42
NC
84
126
B0
168
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB56UW3272ETK 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
HBAT-5400 High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
HBAT-540B High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
HBAT-5402 High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
HBAT-540C High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB56UW1673E-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-5F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-6A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-6F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module