- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370431 > HB56UW1673E (Hitachi,Ltd.) 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB56UW1673E |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM 128MB的內(nèi)存緩沖（128MB的緩沖EDO公司的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 22/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 413K |
| 代理商： | HB56UW1673E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁當前第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
HB56UW1673E-F
22
EDO Page Mode Delayed Write Cycle*
18
!
"
WE
Din
OE
Dout
Address
RAS
t
RASP
t
RP
t
CRP
t
RSH
t
CAS
t
HPC
t
CAS
t
CAS
t
CSH
t
RCD
t
T
t
CP
t
CP
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
RCS
t
RCS
t
RCS
t
RWL
t
CWL
t
CWL
t
CWL
t
WP
t
DS
t
WP
t
WP
t
DZC
t
DS
t
DZC
t
DS
t
DZC
t
DH
t
DH
t
DH
t
DZO
t
OED
t
DZO
t
OED
OEP
t
DZO
t
OED
t
OEH
t
OEH
t
OEH
t
OEZ
t
CLZ
t
CLZ
t
OEZ
t
CLZ
t
OEZ
Invalid Dout
Invalid Dout
Invalid Dout
Din
1
Din
2
Din
N
Column N
Column 2
Column 1
Row
High-Z
CAS
t
OEP
t
OEP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-5402 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540C | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56UW1673E-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-5F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。