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參數(shù)資料
| 型號： | HB56UW1673E |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM 128MB的內存緩沖（128MB的緩沖EDO公司的DRAM內存） |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 413K |
| 代理商： | HB56UW1673E |
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HB56UW1673E-F
4
Pin Description
Pin name
Function
A0 to A11, B0
Address input
Row address
Column address A0 to A11, B0
Refresh address A0 to A11, B0
A0 to A11, B0
DQ0 to DQ71
RE
0,
RE
2
CE
0,
CE
4
WE
0,
WE
2
OE
0,
OE
2
Data input/output
Row address strobe (
RAS
)
Column address strobe (
CAS
)
Read/Write enable
Output enable
PD1 to PD8
Presence detect
ID0, ID1
PDE
ID bit
Presence detect Enable
V
CC
V
SS
NC
Power supply
Ground
No connection
Presence Detect Pin Assignment
(Controlled by
PDE
pin)
PDE
= Low
PDE
= High
Pin name
Pin No.
50 ns
60 ns
All
PD1
79
1
1
High-Z
PD2
163
1
1
High-Z
PD3
80
1
1
High-Z
PD4
164
1
1
High-Z
PD5
81
1
1
High-Z
PD6
165
0
1
High-Z
PD7
82
0
1
High-Z
PD8
1 : High level (driver output)
0 : Low level (driver output)
166
0
0
High-Z
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-5402 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540C | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56UW1673E-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-5F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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