參數資料
型號: HB56UW1673E
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
中文描述: EDO公司的DRAM 128MB的內存緩沖(128MB的緩沖EDO公司的DRAM內存)
文件頁數: 2/28頁
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代理商: HB56UW1673E
HB56UW1673E-F
2
JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM
EDO page mode capability
4096 refresh cycles: 64 ms
2 variations of refresh
RAS
-only refresh
CAS
-before-
RAS
refresh
Ordering Information
Type No.
Access time
Package
Contact pad
HB56UW1673E-5F
HB56UW1673E-6F
50 ns
60 ns
168-pin dual lead out
socket type
Gold
Pin Arrangement
1 pin 10 pin11 pin
40 pin 41 pin
84 pin
85 pin 94 pin 95 pin
124 pin 125 pin
168 pin
Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name
1
V
SS
DQ0
43
V
SS
OE
2
RE
2
CE
4
85
V
SS
DQ36
127
V
SS
NC
2
44
86
128
3
DQ1
45
87
DQ37
129
NC
4
DQ2
46
88
DQ38
130
NC
5
DQ3
47
NC
WE
2
89
DQ39
131
NC
PDE
6
V
CC
DQ4
48
90
V
CC
DQ40
132
7
49
V
CC
NC
91
133
V
CC
NC
8
DQ5
50
92
DQ41
134
9
DQ6
51
NC
93
DQ42
135
NC
10
DQ7
52
DQ18
94
DQ43
136
DQ54
11
DQ8
53
DQ19
95
DQ44
137
DQ55
12
V
SS
DQ9
54
V
SS
DQ20
96
V
SS
DQ45
138
V
SS
DQ56
13
55
97
139
14
DQ10
56
DQ21
98
DQ46
140
DQ57
15
DQ11
57
DQ22
99
DQ47
141
DQ58
相關PDF資料
PDF描述
HB56UW3272ETK 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
HBAT-5400 High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
HBAT-540B High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
HBAT-5402 High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
HBAT-540C High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
相關代理商/技術參數
參數描述
HB56UW1673E-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-5F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-6A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module
HB56UW1673E-6F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module