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參數(shù)資料
| 型號： | HB56SW3272ESK-5 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| 中文描述： | 256MB的內(nèi)存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位，4K的刷新，2銀模塊（36個在16米x 4部分） |
| 文件頁數(shù)： | 29/29頁 |
| 文件大小： | 338K |
| 代理商： | HB56SW3272ESK-5 |
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HB56SW3272ESK-5/6
29
Revision Record
Rev. Date
0.0
Contents of Modification
Drawn by
S. Tsukui
Approved by
K. Tsuneda
Jan. 30, 1998 Initial issue
(referred to HM5164405/HM5165405 Series Rev. 0.1)
0.1
Mar. 16, 1998 Change of Block Diagram
Change of Physical Outline
S. Tsukui
K. Tsuneda
1.0
Jun. 23, 1998 (referred to HM5164405/HM5165405 Series rev. 1.0)
General Description
Addition of Notes about protection from mechanical
defects
AC Test condition
Addition of Ambient illuminance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-6 | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW3272ESK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56UW1673E | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW464DB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BLS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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