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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB56SW3272ESK-5 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| 中文描述： | 256MB的內(nèi)存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位，4K的刷新，2銀模塊（36個(gè)在16米x 4部分） |
| 文件頁數(shù)： | 2/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HB56SW3272ESK-5 |
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HB56SW3272ESK-5/6
2
4-byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
EDO page mode capability
4096 refresh cycles: 64 ms
2 variations of refresh
RAS
-only refresh
CAS
-before-
RAS
refresh
Ordering Information
Type No.
Access time
Package
Contact pad
HB56SW3272ESK-5
HB56SW3272ESK-6
50 ns
60 ns
168-pin dual lead out
socket type
Gold
Pin Arrangement
1 pin 10 pin11 pin
40 pin 41 pin
84 pin
85 pin 94 pin 95 pin
124 pin 125 pin
168 pin
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-6 | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW3272ESK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56UW1673E | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW464DB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BLS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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