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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB56SW3272ESK-5 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| 中文描述： | 256MB的內(nèi)存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位，4K的刷新，2銀模塊（36個(gè)在16米x 4部分） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HB56SW3272ESK-5 |
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HB56SW3272ESK-5/6
10
Read Cycle
50 ns
60 ns
Parameter
Access time from
RAS
Access time from
CAS
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
OEA
t
RCS
t
RCH
t
RCHR
t
RRH
t
RAL
t
CAL
t
CLZ
t
OH
t
OHO
t
OFF
t
OEZ
t
CDD
t
OHR
t
OFR
t
WEZ
t
WED
t
RDD
—
50
—
60
ns
8, 9
—
18
—
20
ns
9, 10, 17
Access time from address
Access time from
OE
—
30
—
35
ns
9, 11, 17
—
18
—
20
ns
9
Read command setup time
Read command hold time to
CAS
Read command hold time from
RAS
Read command hold time to
RAS
Column address to
RAS
lead time
Column address to
CAS
lead time
CAS
to output in low-Z
0
—
0
—
ns
0
—
0
—
ns
12
50
—
60
—
ns
0
—
0
—
ns
12
30
—
35
—
ns
15
—
18
—
ns
2
—
2
—
ns
Output data hold time
Output data hold time from
OE
3
—
3
—
ns
21
3
—
3
—
ns
Output buffer turn-off time
Output buffer turn-off to
OE
CAS
to Din delay time
Output data hold time from
RAS
Output buffer turn-off to
RAS
Output buffer turn-off to
WE
WE
to Din delay time
RAS
to Din delay time
—
18
—
20
ns
13, 21
—
18
—
20
ns
13
18
—
20
—
ns
5
3
—
3
—
ns
21
—
13
—
15
ns
13, 21
—
18
—
20
ns
13
18
—
20
—
ns
13
—
15
—
ns
Write Cycle
50 ns
60 ns
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Write command setup time
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
0
—
0
—
ns
14
Write command hold time
8
—
10
—
ns
Write command pulse width
Write command to
RAS
lead time
Write command to
CAS
lead time
8
—
10
—
ns
18
—
20
—
ns
8
—
10
—
ns
Data-in setup time
0
—
0
—
ns
15
Data-in hold time
13
—
15
—
ns
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-6 | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW3272ESK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56UW1673E | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW464DB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BLS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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