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參數(shù)資料
| 型號： | HB56SW3272ESK-5 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| 中文描述： | 256MB的內(nèi)存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位，4K的刷新，2銀模塊（36個在16米x 4部分） |
| 文件頁數(shù)： | 11/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HB56SW3272ESK-5 |
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HB56SW3272ESK-5/6
11
Read-Modify-Write Cycle
50 ns
60 ns
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
OE
hold time from
WE
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
116
—
140
—
ns
72
—
84
—
ns
14
30
—
34
—
ns
14
42
—
49
—
ns
14
13
—
15
—
ns
Refresh Cycle
50 ns
60 ns
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle)
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
WE
setup time (CBR refresh cycle)
WE
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
t
CSR
t
CHR
t
WRP
t
WRH
t
RPC
10
—
10
—
ns
8
—
10
—
ns
5
—
5
—
ns
10
—
10
—
ns
5
—
5
—
ns
EDO Page Mode Cycle
50 ns
60 ns
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
EDO page mode cycle time
EDO page mode
RAS
pulse width
Access time from
CAS
precharge
RAS
hold time from
CAS
precharge
Output data hold time from
CAS
low
CAS
hold time referred
OE
CAS
to
OE
setup time
Read command hold time from
CAS
precharge
Write pulse width during
CAS
precharge
OE
precharge time
t
HPC
t
RASP
t
CPA
t
CPRH
t
DOH
t
COL
t
COP
t
RCHC
20
—
25
—
ns
20
—
100000 —
100000 ns
16
—
33
—
40
ns
9, 17
33
—
40
—
ns
3
—
3
—
ns
9, 22
8
—
10
—
ns
5
—
5
—
ns
28
—
35
—
ns
t
WPE
t
OEP
8
—
10
—
ns
8
—
10
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-6 | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW3272ESK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56UW1673E | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56SW3272ESK-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components) |
| HB56SW464DB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56SW464DB-6BLS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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