參數(shù)資料
型號： HB52RF1289E2
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM
中文描述： 1 GB的注冊SDRAM的內(nèi)存128 Mword】72位，133 MHz內(nèi)存總線，2銀模塊（36個64 M】4組件）PC133 SDRAM的
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代理商： HB52RF1289E2
HB52RF1289E2-75B
Data Sheet E0018H10
9
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
V
T
–
0.5 to V
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
V
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
Iout
–
0.5 to +4.6
V
1
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
18.0
W
Operating temperature
0 to +55
°
C
Storage temperature
Note:
1. Respect to V
SS
Tstg
–
50 to +100
°
C
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +55°C)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
—
3.0
3.6
V
1
0
0
V
3
Input high voltage
2.0
V
CC
0.8
V
1, 4
Input low voltage
0
V
1, 5
Ambient illuminance
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
2. The supply voltage with all V
CC
and V
CC
Q pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all V
SS
and V
SS
Q pins must be on the same level.
4. V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5. V
IL
(min) = V
SS
–
2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
—
100
lx
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PDF描述
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