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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RF1289E2 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM |
| 中文描述： | 1 GB的注冊SDRAM的內(nèi)存128 Mword】72位，133 MHz內(nèi)存總線，2銀模塊（36個64 M】4組件）PC133 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 11/16頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | HB52RF1289E2 |
HB52RF1289E2-75B
Data Sheet E0018H10
11
Capacitance
(Ta = 25°C, V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
Input capacitance (
RE
,
CE
,
W
)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O1
25
pF
1, 2, 4
25
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CKE)
Input capacitance (
S
)
45
pF
1, 2, 4
20
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CK)
45
pF
1, 2, 4
Input capacitance (DQMB)
20
pF
1, 2, 4
Input/Output capacitance (DQ)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH
to disable Data-out.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
25
pF
1, 2, 3, 4
AC Characteristics
(Ta = 0 to 55°C, V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52RF1289E2-75B
PC133
CE
latency = 4
PC100
CE
latency = 3
Parameter
Symbol
PC100
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
System clock cycle time
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CES
t
CESP
t
CEH
Tclk
7.5
—
10
—
ns
1
CK high pulse width
Tch
3.4
—
4
—
ns
1
CK low pulse width
Tcl
3.4
—
4
—
ns
1
Access time from CK
Tac
—
6.3
—
6.9
ns
1, 2
Data-out hold time
Toh
1.8
—
2.1
—
ns
1, 2
CK to Data-out low impedance
1.1
—
1.1
—
ns
1, 2, 3
CK to Data-out high impedance
—
6.3
—
6.9
ns
1, 4
Data-in setup time
Tsi
2.4
—
2.9
—
ns
1
Data in hold time
Thi
1.7
—
1.9
—
ns
1
Address setup time
Tsi
1.9
—
2.6
—
ns
1
Address hold time
Thi
1.5
—
1.6
—
ns
1
CKE setup time
Tsi
1.9
—
2.6
—
ns
1, 5
CKE setup time for power down exit
Tpde
1.9
—
2.6
—
ns
1
CKE hold time
Thi
1.5
—
1.6
—
ns
1
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PDF描述 |
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