- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52R329E22 (Hitachi,Ltd.) 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB52R329E22 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 43/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 630K |
| 代理商： | HB52R329E22 |
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HB52R329E22-D
43
Read command to Write command interval:
1. Same bank, same ROW address:
When the write command is executed at the same ROW address of
the same bank as the preceding read command, the write command can be performed after an interval of no
less than 1 clock. However, DQMB must be set High so that the output buffer becomes High-Z before data
input.
READ to WRITE Command Interval (1)
CK
Command
Dout
in B2
in B3
READ
WRIT
in B0
in B1
High-Z
Din
CL=3
CL=4
DQMB
Burst Length = 4
Burst write
READ to WRITE Command Interval (2)
CK
Command
READ
WRIT
Din
2 clock
High-Z
High-Z
Dout
CL=3
CL=4
DQMB
2. Same bank, different ROW address:
When the ROW address changes, consecutive write commands
cannot be executed; it is necessary to separate the two commands with a precharge command and a bank-
active command.
3. Different bank:
When the bank changes, the write command can be performed after an interval of no
less than 1 clock, provided that the other bank is in the bank-active state. However, DQMB must be set
High so that the output buffer becomes High-Z before data input.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52R329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
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| HB52RF1289E2-75B | x72 SDRAM Module |
| HB52RF1289E2 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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