- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52R329E22 (Hitachi,Ltd.) 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB52R329E22 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 20/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 630K |
| 代理商： | HB52R329E22 |
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HB52R329E22-D
20
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
HB52R329E22
Parameter
-A6D/B6D
Frequency (MHz)
100
t
CK
(ns)
Active command to column command (same bank)
HITACHI
Symbol
PC/100
Symbol 10
Notes
I
RCD
I
RC
2
1
Active command to active command (same bank)
7
= [I
RAS
+ I
RP
]
1
Active command to precharge command (same bank)
I
RAS
I
RP
I
DPL
5
1
Precharge command to active command (same bank)
2
1
Write recovery or data-in to precharge command
(same bank)
Tdpl
1
1
Active command to active command (different bank)
I
RRD
I
SREX
I
APW
2
1
Self refresh exit time
Tsrx
2
2
Last data in to active command
(Auto precharge, same bank)
Tdal
3
= [I
DPL
+ I
RP
]
Self refresh exit to command input
I
SEC
7
= [I
RC
]
3
Precharge command to high impedance
(
CE
latency = 3)
(
CE
latency = 4)
I
HZP
I
HZP
I
APR
Troh
3
Troh
4
Last data out to active command (auto precharge)
(same bank)
0
Last data out to precharge (early precharge)
(
CE
latency = 3)
(
CE
latency = 4)
I
EP
I
EP
I
CCD
I
WCD
I
DID
I
DOD
I
CLE
I
RSA
I
CDD
I
PEC
–2
–3
Column command to column command
Tccd
1
Write command to data in latency
Tdwd
1
DQMB to data in
Tdqm
1
DQMB to data out
Tdqz
3
CKE to CK disable
Tcke
2
Register set to active command
S
to command disable
Tmrd
1
0
Power down exit to command input
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52R329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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