參數(shù)資料
型號(hào)： HB52R1289E22
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
中文描述： 1 GB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存1 GB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（36個(gè)64 M】4組件）PC100的SDRAM內(nèi)存
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代理商： HB52R1289E22
HB52R1289E22-A6B/B6B
Data Sheet E0017H20
12
Capacitance
(Ta = 25°C, V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
Input capacitance (
RE
,
CE
,
W
)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O1
25
pF
1, 2, 4
25
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CKE)
Input capacitance (
S
)
45
pF
1, 2, 4
20
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CK)
45
pF
1, 2, 4
Input capacitance (DQMB)
20
pF
1, 2, 4
Input/Output capacitance (DQ)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH
to disable Data-out.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
25
pF
1, 2, 3, 4
AC Characteristics
(Ta = 0 to 55°C, V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52R1289E22
-A6B/B6B
Parameter
Symbol
PC100
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
System clock cycle time
(
CE
latency = 3)
(
CE
latency = 4)
t
CK
Tclk
10
—
ns
1
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
AC
Tclk
10
—
ns
CK high pulse width
Tch
4
—
ns
1
CK low pulse width
Tcl
4
—
ns
1
Access time from CK
(
CE
latency = 3)
(
CE
latency = 4)
Tac
—
7.5
ns
1, 2
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CES
t
CESP
Tac
—
7.5
ns
Data-out hold time
Toh
2.1
—
ns
1, 2
CK to Data-out low impedance
1.1
—
ns
1, 2, 3
CK to Data-out high impedance
—
7.5
ns
1, 4
Data-in setup time
Tsi
2.9
—
ns
1
Data in hold time
Thi
3.4
—
ns
1
Address setup time
Tsi
2.6
—
ns
1
Address hold time
Thi
3.0
—
ns
1, 5
CKE setup time
Tsi
2.6
—
ns
1, 5
CKE setup time for power down exit
Tpde
2.6
—
ns
1
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PDF描述
HB52R1289E22-A6B 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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