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參數(shù)資料
| 型號： | HB52F169EN |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 55/71頁 |
| 文件大?。?/td> | 906K |
| 代理商： | HB52F169EN |
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HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F, HB52F168EN-75F, HB52F169EN-
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Write command to Precharge command interval (same bank):
When the precharge command is executed
for the same bank as the write command that preceded it, the minimum interval between the two commands
is 1 clock.
However, if the burst write operation is unfinished, the input data must be masked by means of
DQMB for assurance of the clock defined by t
DPL
.
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank):
Burst Length = 4 (To stop write operation)
Burst Length = 4 (To write all data)
Bank active command interval:
1. Same bank:
The interval between the two bank-active commands must be no less than t
RC
.
CK
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
t
DPL
DQMB
CK
in A0
in A1
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
DQMB
t
DPL
CK
in A0
in A1
in A2
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
in A3
DQMB
t
DPL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52F89EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
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| HB52R1289E22-A6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-B6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22 | 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HB52F328DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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| HB52F648EN-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM |
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