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參數(shù)資料
| 型號： | HB52F169EN |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 24/71頁 |
| 文件大小： | 906K |
| 代理商： | HB52F169EN |
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HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F, HB52F168EN-75F, HB52F169EN-
24
DC Characteristics (Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
(HB52F89EM)
Notes:
1.I
CC
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
(max) is specified at the
output open condition.
2.One bank operation.
3.Input signals are changed once per one clock.
4.Input signals are changed once per two clocks.
5.Input signals are changed once per four clocks.
6.After power down mode, CK operating current.
7.After power down mode, no CK operating current.
8.After self refresh mode set, self refresh current.
HB52F89EM-75F
PC133
CE latency = 3
PC100
CE latency = 2
Parameter
Operating current
Sym-
bol
I
CC1
Min
—
Max
720
Min
—
Max
720
Unit Test conditions
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
mA
CKE = V
IL
, t
CK
= 12
ns
mA
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
Note
s
1, 2, 3
Standby current in power
down
Standby current in power
down
(input signal stable)
Standby current in non
power down
Active standby current in
power down
Active standby current in
non power down
Burst operating current
Refresh current
Self refresh current
I
CC2P
—
27
—
27
6
I
CC2PS
—
18
—
18
7
I
CC2N
—
144
—
144
mA
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
= 12
ns
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
t
CK
= min, BL = 4
t
RC
= min
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
4
I
CC3P
—
36
—
36
mA
1, 2, 6
I
CC3N
—
180
—
180
mA
1, 2, 4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
—
—
900
1035
9
—
—
—
720
1035
9
mA
mA
mA
1, 2, 5
3
8
Input leakage current
Output leakage current
I
LI
I
LO
–10
–10
10
10
–10
–10
10
10
μ
A
μ
A
Output high voltage
Output low voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
—
0.4
2.4
—
—
0.4
V
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52F89EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52R1289E22 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-A6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-B6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22 | 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52F328DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F328DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F328EM-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52F329EM-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52F648EN-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM |
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