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參數(shù)資料
| 型號： | GS8170DW36C |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| 中文描述： | 35.7ヒ1x1Dp的CMOS的I / O雙晚寫SigmaRAM |
| 文件頁數(shù)： | 15/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 827K |
| 代理商： | GS8170DW36C |
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GS8170DW36/72C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.04 5/2005
15/27
2002, GSI Technology, Inc.
20% tKC
V
SS
– 1.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 1.0 V
50%
V
DD
V
IL
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
6
7
pF
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
V
DD
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
V
DD
/2
Output reference level
V
DDQ
/2
DQ
VT = V
DDQ
/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
AC Test Load Diagram
= 1.8 V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170DW36C-200 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-200I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-250 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-250I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-300 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8170DW36C-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36C-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW72AC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW72AC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW72AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 1.8NS 209FBGA - Trays |
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