參數(shù)資料
型號(hào)： GS8170DW36C
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
中文描述： 35.7ヒ1x1Dp的CMOS的I / O雙晚寫(xiě)SigmaRAM
文件頁(yè)數(shù)： 13/27頁(yè)
文件大?。?/td> 827K
代理商： GS8170DW36C
GS8170DW36/72C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.04 5/2005
13/27
2002, GSI Technology, Inc.
Common I/O State Diagram
X,F,0,X or X,X,1,X
Deselect
Bank
Deselect
Read
Read
Continue
Write
Write
Continue
X,F,0,X
1,T,0,X
X,F,0,X
1,T,0,X
1,T,0,X
X,F,0,X
1,T,0,X
1,T,0,X or X,X,1,X
0,T,0,0
0,T,0,1
0,T,0,0
0,T,0,1
X,F,0,X
X,F,0,X
0,T,0,0
0,T,0,1
X,X,1,X
X,X,1,X
0,T,0,0
0,T,0,1
1,T,0,X
0,T,0,0
0,T,0,1
X,X,1,X
X,X,1,X
0,T,0,1
0,T,0,0
Clock (CK)
Command
Current State
Next State
Current State & Next State Definition for Read
/Write Control State Diagram
Current State (n)
Next State (n + 1)
Transition
Input Command Code
Key
n
n+1
n+2
n+3
Notes:
1.
2.
3.
The notation “X,X,X,X” controlling the state transitions above indicate the states of inputs E1, E, ADV, and W respectively.
If (E2 = EP2 and E3 = EP3) then E = “T” else E = “F”.
“1” = input “high”; “0” = input “l(fā)ow”; “X” = input “don’t care”; “T” = input “true”; “F” = input “false”.
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PDF描述
GS8170DW36C-200 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
GS8170DW36C-200I 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
GS8170DW36C-250 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
GS8170DW36C-250I 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
GS8170DW36C-300 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM
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參數(shù)描述
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GS8170DW36C-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays
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GS8170DW72AC-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 2.1NS 209FBGA - Trays
GS8170DW72AC-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 1.8NS 209FBGA - Trays
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