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參數(shù)資料
| 型號： | GS816118 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 22/36頁 |
| 文件大小： | 945K |
| 代理商： | GS816118 |
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GS816118(T/D)/GS816132(D)/GS816136(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.13 11/2004
22/36
1999, GSI Technology
Flow Through Mode Timing
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816118D | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816218BGD-150 | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236BGD-200I | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236BGD-250 | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS816236BGD-250I | 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816118BD-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS816118BD-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS816118BD-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816118BD-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816118BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
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