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參數(shù)資料
| 型號： | GS816118 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水線和流量，通過同步唑的SRAM（1,600位流水線式和流通型同步唑靜態(tài)內存） |
| 文件頁數(shù)： | 8/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | GS816118 |
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Rev: 2.07 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
8/32
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816118/36T-225/200/180/166/150/133
Byte Write Truth Table
Note:
1.
2.
3.
4.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
X
X
X
X
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