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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816118 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水線和流量，通過同步唑的SRAM（1,600位流水線式和流通型同步唑靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 5/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | GS816118 |
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Rev: 2.07 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
5/32
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816118/36T-225/200/180/166/150/133
64
38
39
42
43
14
31
ZZ
TMS
TDI
TDO
TCK
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
I
I
I
Sleep Mode control; active high
Scan Test Mode Select
Scan Test Data In
Scan Test Data Out
Scan Test Clock
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
O
I
I
I
15, 41, 65, 91
I
Core power supply
5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90
I
I/O and Core Ground
4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
I
Output driver power supply
Pin Location
Symbol
Typ
e
Description
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E18BD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-250 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-250I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGT-150 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816118BD-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS816118BD-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS816118BD-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816118BD-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816118BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
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