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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816118 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水線和流量，通過(guò)同步唑的SRAM（1,600位流水線式和流通型同步唑靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/32頁(yè) |
| 文件大小： | 584K |
| 代理商： | GS816118 |
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Rev: 2.07 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
29/32
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816118/36T-225/200/180/166/150/133
GS816118/36T TQFP Boundary Scan Register
Note:
1.
2.
3.
The Boundary Scan Register contains a number of registers that are not connected to any pin. They default to the value shown at reset.
Registers are listed in exit order (i.e. Location 1 is the first out of the TDO pin.
NC = No Connect, NA = Not Active, PH = Place Holder (No associated pin)
Order
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
30
31
32
33
x36
x18
Pin
n/a
n/a
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
56
57
58
59
62
63
64
66
68
69
72
73
74
75
78
79
81
82
83
84
PH = 0
PH = 0
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
x36 = DQ
A9
DQ
A8
DQ
A7
DQ
A6
DQ
A5
DQ
A4
DQ
A3
DQ
A2
DQ
A1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
DQ
A1
DQ
A2
DQ
A3
DQ
A4
ZZ
QE
DQ
B1
DQ
B2
DQ
B3
DQ
B4
DQ
B5
DQ
B6
DQ
B7
DQ
B8
DQ
A5
DQ
A6
DQ
A7
DQ
A8
DQ
A9
NC = 1
NC = 1
NC = 1
A
9
A
8
ADV
ADSP
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
ADSC
G
BW
GW
CK
PH = 0
PH = 0
A
17
B
A
B
B
B
C
B
D
A
18
85
86
87
88
89
n/a
n/a
92
93
94
95
96
97
98
99
100
1
2
3
6
7
8
9
12
13
14
16
n/a
18
19
22
23
NC = 1
NC = 1
E
1
A
7
A
6
x36 = DQ
C9
DQ
C8
DQ
C7
DQ
C6
DQ
C5
DQ
C4
DQ
C3
DQ
C2
DQ
C1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
DQ
B1
DQ
B2
DQ
B3
DQ
B4
FT
DP
PH = 1
DQ
D1
DQ
D2
DQ
D3
DQ
D4
DQ
B5
DQ
B6
DQ
B7
DQ
B8
Order
x36
x18
Pin
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
DQ
D5
DQ
D6
DQ
D7
DQ
D8
DQ
B9
NC = 1
NC = 1
NC = 1
NC = 1
24
25
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
n/a
x36 = DQ
D9
LBO
A5
A4
A3
A2
A1
A0
PH = 0
BPR 1999.05.14
Order
x36
x18
Pin
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E18BD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-250 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-250I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGT-150 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816118BD-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS816118BD-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS816118BD-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816118BD-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 18MBIT 1MX18 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816118BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
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