參數(shù)資料
型號： GS8151E36
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 16Mb（512K x 36Bit) Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位)同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
中文描述： 16Mb的（為512k × 36Bit）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（1,600位（為512k × 36位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器））
文件頁數(shù)： 27/31頁
文件大小： 578K
代理商： GS8151E36
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
27/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8151E18/36T-225/200/180/166/150/133
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
TCK Cycle Time
TCK Low to TDO Valid
TCK High Pulse Width
TCK Low Pulse Width
TDI & TMS Set Up Time
TDI & TMS Hold Time
Symbol
tTKC
tTKQ
tTKH
tTKL
tTS
tTH
Min
20
—
10
10
5
5
Max
—
10
—
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tTKQ
tTS
tTH
tTKH
tTKL
TCK
TMS
TDI
TDO
tTKC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8151Z18 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
GS8151Z36 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
GS815218 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
GS815236 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
GS815272 16Mb（256K x 72Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS815V018AB-250 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays
GS815V018AB-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250I - Trays
GS815V018AB-300 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays
GS815V018AB-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays
GS815V018AB-333 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*