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參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ELT-8 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 53/57頁 |
| 文件大小： | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-8 |
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LG Semicon
Self Refresh Cycle
GM72V66841CT/CLT
Self Refresh Cycle
RAS-CAS Delay = 3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
52
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ
A10=h
Precharge
Command
if needed
Self Refresh
Entry Command
Auto
Refresh
Self Refresh Exit
Ignore Command
of No Operation
CKE Low
CLK
t
RP
t
RC
Next
Clock
Enable
Self Refresh
Entry Command
Next
Clock
Enable
High-Z
t
RC
DQM ,
DQMU/DQML
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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