參數(shù)資料
型號(hào)： GM72V66841ELT-8
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 51/57頁(yè)
文件大?。?/td> 592K
代理商： GM72V66841ELT-8
LG Semicon
Full Page Read / Write Cycle
GM72V66841CT/CLT
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ(output)
a+2 a+3
a
a+1
.
..
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Read
Burst
Stop
Bank3
Precharge
R:b
C:a
R:a
..
DQ(input)
..
CKE
CS
RAS
CAS
WE
Address
DQ(input)
DQ(output)
A12/A13
V
IH
a
a+1
a-2
a-1
.
a+2
..
V
IH
a+2 a+3
a
a+1
.
.
..
..
..
..
R:b
C:a
R:a
.
.
..
..
..
..
a+4
a+1
a+5 a+6
a+3 a+4
a+2
a+5
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Write
Burst
Stop
Bank1
Precharge
50
DQM ,
DQMU/DQML
DQM ,
DQMU/DQML
High-Z
High-Z
Write Cycle
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
Read Cycle
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GM72V66841ET 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
GM72V66841Exx 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
GM72V66841ELT-7 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
GM72V66841ELT-75 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
GM72V66841ET-7 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GM72V66841ET 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
GM72V66841ET-7 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
GM72V66841ET-75 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
GM72V66841ET-7J 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
GM72V66841ET-7K 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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