- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383012 > GM72V66841ELT-8 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841ELT-8 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-8 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)當(dāng)前第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)
LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Write Command to Precharge Command
Interval (same bank):
When the Precharge
command is executed for the same bank as the
write command that preceded it, the minimum
interval between the two commands is 1 cycle.
However, if the burst write operation is
unfinished, the input data must be masked by
means of DQM, DQMU/DQML for assurance of
the cycle defined by
t
RWL
.
Burst Length = 4 ( To stop write operation)
32
Command
DQM,
DQMU/DQML
Din
t
RWL
WRIT
PRE/PALL
CLK
in A0
in A1
t
RWL
PRE/PALL
WRIT
Command
DQM,
DQMU/DQML
Din
CLK
Burst Length = 4 (To write all data)
CLK
Din
t
RWL
in A0
in A1
in A2
in A3
DQM,
DQMU/DQML
WRIT
PRE/PALL
Command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。