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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841ELT-8 |
| 廠(chǎng)商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-8 |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
38
DC Characteristics
(Ta = 0 to 70C, V
CC
, V
CCQ
= 3.3 V +/- 0.3 V, V
SS
, V
SSQ
= 0 V)
1
2
Parameter
Symbol
- 7K
Unit
Test conditions
Notes
Max
Operating
current
Standby current in
power down
Standby current in
power down
(input signal stable)
Standby current in
non power down
(CAS Latency=2)
Standby current in
non power down
(input signal stable)
I
CC2P
Self refresh current
I
CC6
mA
V
IH
>=V
CC
- 0.2
V
IL
<=.2V
7
- 8
Max
- 10K
Max
Burst length= 1
t
RC
= min
CKE = V
IL
,
t
CK
= 12 ns
1, 2, 3
5
1
1
I
CC1
mA
80
70
mA
2
2
I
CC2PS
CKE=V
IL
,
t
CK
=
Infi ni ty
6
mA
2
2
I
CC2N
CKE,CS = V
IH
,
t
CK
= 12ns
4
mA
15
15
I
CC2NS
CKE = V
IH
,
t
CK
=
Infi ni ty
4
mA
5
5
Active standby current
in power down
I
CC3P
CKE = V
IL
,
t
CK
= 12 ns,
DQ = High-Z
1,2,5
mA
6
6
Active standby current
in power down
(input signal stable)
I
CC3PS
CKE = V
IL
,
t
CK
=
Infi ni ty
2,6
mA
5
5
Active standby current
in non power down
I
CC3N
CKE,CS = V
IH
,
t
CK
= 12 ns,
DQ = High-Z
1,2,4
mA
30
30
Active standby current
in non power down
(input signal stable)
I
CC3NS
CKE = V
IH
,
t
CK
=
Infi ni ty
2,9
mA
20
20
Burst
operating
current
I
CC4
t
CK
= min
BL = 4
1,2,3
mA
100
80
( CL= 2 )
I
CC4
mA
155
120
( CL= 3 )
Refresh
current
t
RC
= min
3
I
CC5
mA
110
90
- 7J
80
2
15
5
6
5
30
20
80
120
110
0.4
0.4
0.4
7,8
6,8
0.4
0.4
0.4
4,8
10
10
10
1,2,5,8
5
5
5
1,2,4,8
25
25
25
2,8,9
10
10
10
2,6,8
4
4
4
1
2
Max
80
2
15
5
6
5
20
120
120
110
0.4
0.4
10
5
25
10
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