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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841ELT-75 |
| 廠(chǎng)商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-75 |
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LG Semicon
Auto Refresh Cycle
GM72V66841CT/CLT
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ (output)
C:a
A10=h
a
a+1
Precharge
if needed
Auto Refresh
R:a
Bank0
Read
Bank0
Active
Auto Refresh
19
20
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
CLK
CKE
V
IH
t
RP
t
RC
t
RC
Refresh Cycle and
Read Cycle
RAS-CAS Delay=2
CAS Latency=2
Burst Length=4
= VIH or VIL
High-Z
51
DQM ,
DQMU/DQML
DQ (input)
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PDF描述 |
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