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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841ELT-75 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-75 |
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LG Semicon
Read / Burst Write Cycle
GM72V66841CT/CLT
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ(input)
a+2
a
a+1
Bank0
Write
Bank0
Precharge
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Read
Bank3
Active
Clock
Suspend
Bank0
Active
Bank0
Read
Bank0
Write
Bank0
Precharge
Bank3
Precharge
R:b
C:a
R:a
C:a
..
19
20
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DQ(output)
a+2
a
a+1
a+3
a+2 a+3
a
a+1
R:b
C:a
R:a
C:a
..
a+3
a
a+1
CKE
CS
RAS
CAS
WE
Address
DQ(input)
DQ(output)
A12/A13
Read/Burst Write
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
49
a+3
V
IH
DQM ,
DQMU/DQML
DQM ,
DQMU/DQML
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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