- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383012 > GM72V66841ELT-75 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ELT-75 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 48/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ELT-75 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁當(dāng)前第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
LG Semicon
Read Cycle/ Write Cycle
GM72V66841CT/CLT
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ(output)
b
b+3
b
b+1 b+2
.
..
..
a+2 a+3
a
a+1
.
..
..
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ(input)
V
IH
b
a+2 a+3
a
a+1
b+3
b
b+1 b+2
.
..
..
.
..
..
Bank3
Write
Bank0
Precharge
Bank3
Write
Bank3
Write
Bank3
Precharge
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Write
V
IH
R:b
C:b
C:a
R:a
C:b
C:b.
R:b
C:b
C:a
R:a
C:b
C:b.
19
20
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Read Cycle
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
Write Cycle
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
Bank3
Active
Bank3
Read
Bank0
Active
Bank0
Read
Bank0
Precharge
Bank3
Read
Bank3
Read
Bank3
Precharge
47
DQM ,
DQMU/DQML
DQ(output)
DQM ,
DQMU/DQML
DQ(input)
High-Z
High-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM7630 | FIXED MULTI - OUTPUT REGULATOR |
| GM7630SIP10T | FIXED MULTI - OUTPUT REGULATOR |
| GM76C28A | 2,048 WORDS X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841ELT-7J | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。